안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79706
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21376
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69749
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94681
164 Arcing과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [Self bias와 DC glow 방전] [1] 764
163 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 762
162 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [질소 플라즈마] [1] 762
161 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 756
160 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [Self bias] [1] 755
159 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [Plasma torch와 cyanide] [2] 751
158 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 742
157 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [Plasma heating] [1] 741
156 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 740
155 RPC ClEAN시 THD 발생 [RF shield와 ground의 강화] [1] 730
154 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 724
153 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [데이터+플라즈마광학 모델] [1] 718
152 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [플라즈마 밀도 및 전위 제어] [1] 705
151 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 701
150 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 698
149 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [Sheath 전기장 및 instability] [1] file 692
148 전공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [Ion beam source] [1] file 689
147 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [플라즈마 생성, Plasma collision reaction] [1] 684
146 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 676
145 프리쉬스에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion 및 collisionless sheath] [1] 671

Boards


XE Login