안녕하세요. PECVD 공정 엔지니어로서 RPSC의 Cleaning 거동을 이해하고자 질문드립니다.

 

우선 CCP 형태 Chamber에서 Chamber 내 NF3가 공급되어 SiNx가 식각되는 Cleaning 공정을 가정하겠습니다.

Chamber Throttle Valve Position이 고정되고 Pump는 100% 성능으로 작동할 때, NF3를 공급하면 Pressure 곡선은 아래와 같습니다.

Chamber 내에선 SiNx와 NF3가 반응하여 SiF4가 생성됩니다.

제목 없음.png

Throttle Valve, Pump 상태는 동일하므로 배기되는 Output Volume Flowrate는 항상 같다고 가정했습니다.

Chamber 내 압력이 변동하되 Chamber Volume은 일정하므로, Chamber 내 Density는 Pressure에 비례할 것입니다. 즉, Fluid Density는 상기 곡선 상황에서 변동하는 Parameter입니다.

 

이때, 궁금한 것은 Residence Time 추이가 어떻게 변할지 입니다.

Residence Time은 Chamnber 내 Fluid가 평균적으로 얼마나 오래 머무르고 가는지 의미합니다.

 

추론① 배기되는 Output Volume Flowrate, Chamber Volume이 일정하므로 Residence Time은 항상 동일하다.

 

추론② Input Volume Flowrate가 증가하더라도, 추론①대로 Residence Time은 항상 일정하다. → 이 경우, Input Volume Flowrate가 증가했음에도 Residence Time이 동일한 건 직관적으로 이상하지만, Density(혹은 Pressure)가 증가하므로 적절한 추론일 것이다.

 

추론③ Chamber 내 Fluid Density와 Throttle Valve를 통해 배기되는 Fluid Density는 동일하다.

 

상시 세 가지 추론이 적절한지 궁금합니다. 물론 정밀한 수준으로 정확한지를 따지기보단, 큰 개념으로 공정을 바라볼 때 위의 추론처럼 이해하는 것이 적절한지가 궁금합니다.

 

항상 질문에 친절하게 답해주셔서 감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76431
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19995
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57067
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68543
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91342
117 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 581
116 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 578
115 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 577
114 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 575
113 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 573
112 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 573
111 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 572
110 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 570
109 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 568
108 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 567
107 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 566
106 활성이온 측정 방법 [1] 566
105 핵융합 질문 [1] 558
104 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 550
103 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 549
102 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 549
101 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 548
100 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 548
99 plasma 공정 중 색변화 [1] 544
98 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 543

Boards


XE Login