Sheath 프리쉬스에 관한 질문입니다.
2019.03.07 20:36
랑뮤어 프로브에 관한 논문을 읽다가 궁금하게 생겨 질문 드립니다.
이온은 프리쉬스 영역에서 0.5(kTe/e)에 해당하는 전압강하를 통하여 bohm속도를 갖게되어 음극쪽으로 끌려가는 것으로 알고 있습니다.
논문에서는 음극에서 수집되는 전류밀도는 일정하므로 이온의 밀도는 감소하며 만약 이 이온의 밀도감소 속도가 전자의 밀도감소 속도보다 빠르게 될 경우 전자가 사라지기 전에 이온밀도가 감소하여 결국 순 전류가 음의 값을 가져 이온의 속도가 증가한다고 합니다. 따라서 이를 해결하려면 쉬스의 양의 공간 전하를 유지하기 위해 이온은 bohm속도에 해당하는 속도로 쉬스로 들어가야 한다고 나와있습니다.
이 부분이 이해가 되질 않습니다. 프리 쉬스에 의해 bohm속도에 도달한 이온들은 쉬스영역으로 더 잘 끌려간다는 말 아닌가요? 이렇게 되면 이온밀도는 더 감소하게되는것 아닌지... 쉬스의 양의 공간전하 유지를 위해 이온밀도 감소 속도를 낮춰야 한다면서 한편으로는 쉬스영역으로 더 잘 끌려갈 수 있게 bohm 속도를 가져야 한다니... 뭔가 역설적인것 같습니다..
또 프리 쉬스가 생기는 이유에 대해서도 궁금합니다.
또 다른 한 논문에서는 "이온-중성종 간의 약한 충돌이 지배적으로 일어나는 전통적 의미의 프리쉬스 영역이 존재함을 의미" 라고 적혀있는것을 보았습니다.
이온-중성종간의 충돌이 프리쉬스의 형성과 어떤 관련이 있나요?? 아니면 그냥 프리쉬스영역에서 이온-중성종간의 충돌이 일어난다는 뜻인가요??
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76814 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20242 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68736 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92572 |
134 | 석영이 사용되는 이유? [1] | 20031 |
133 | 플라즈마 진동수와 전자온도 | 20062 |
132 | Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. | 20205 |
131 | DBD플라즈마와 플라즈마 impedance | 20208 |
130 | 플라즈마 matching | 20243 |
129 | 형광등과 플라즈마 | 20255 |
128 | 안녕하세요. GS플라텍 지성훈입니다. [1] | 20262 |
127 | 상압 플라즈마 방전에 관한 문의 [1] | 20312 |
126 | CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] | 20387 |
125 | Langmuir probe tip 재료 | 20411 |
124 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20428 |
123 | wafer 전하 소거: 경험 있습니다. | 20481 |
122 | 확산펌프 | 20518 |
121 | 플라즈마 진단법에 대하여 [1] | 20578 |
120 | Lissajous figure에 대하여.. | 20621 |
119 | Three body collision process | 20650 |
118 | 교재구입 | 20725 |
117 | 이온주입량에 대한 문의 | 20736 |
116 | IEDF EQP에 대한 답변 | 20807 |