Remote Plasma PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건]
2008.08.12 15:39
안녕하세요. 저는 연구실에서 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 갖고 실험하고 있는 학생입니다.
플라즈마가 기판으로 도달되지 않아 플라즈마를 기판으로 내리기 위해 tunner를 조절하여 어느정도
내렸습니다. 그런데 forward power가 증가함에 따라 Reflect power도 상당히 큰 값으로 증가했습니다. 매칭이 잘못된거 같은데 아무리 tunner를 크게 또는 작게 해도 소용이 없었습니다.
혹시 다른 매칭방법은 없나요? 재료공학과 학생이라 플라즈마에 대한 지식이 많이 부족합니다.
알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.^^
댓글 2
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홍섭희
2008.05.23 09:39
RF Power 값을 올리던지, 아니면 압력이나 주입되는 가스의 양을 조정하셔야 합니다. Tuner로 조정하는 것은 의미가 없습니다. 제생각으로는 기판의 위치를 높히는 것이 좋을 것 같습니다. -
김곤호
2008.08.12 15:39
마이크로 웨이브 플라즈마에서 플라즈마가 만들어 지면 인가 전력이 매우 효율적으로 플라즈마를 만들게 됩니다. 이 경우 대부분의 인가 전력(웨이브)는 대부분의 에너지를 잃게 되므로, 자연히 웨이브 진입 쪽에서의 플라즈마 밀도가 높아지게 됩니다. 이는 웨이비 진입구에 있는 부도체(일반적으로 quartz 사용)하는데 이 부도체의 온도가 같이 올라가게 되고 이는 웨이브 통과를 방해하곤 합니다. 이때 반사파의 크기가 커지는 현상이 발생하게 됩니다. 따라서 웨이브 가이드 주변의 냉각은 중요합니다. 또한 플라즈마를 기판 쪽으로 내리기 위해서는 운전 압력을 낮추거나, 위의 추천대로 처리 시편의 위치를 윗쪽, 즉 플라즈마 생성 쪽으로 옮기는 방법이 보다 효과적입니다. 참고가 되었으면 합니다.
