안녕하십니까, 반도체 공정에 대하여 공부 중입니다. 

 

공부 시 몇 가지 질문 사항이 있어서 문의 드립니다.

 

1. Depoition 공정과 같은 Process 공정 시 SiH4 + N2O(O2) 등의 gas 사용하여 바로 공정을 진행하는데, 

   Remote Plasma Source를 이용한 NF3 Cleaning Prcoess 에서는 왜 Ar (Innert gas)를 이용해야만 Plasma 방전이 되는 건가요?

 

2.  물론 Deposition 공정 시 공정 조건을 위하여, Ar gas와 같은 불활성 기체를 쓰지만, Plasma 방전을 목적으로 쓰지는 않는데, 

    RPS의 경우 왜 NF3 gas만 이용 시 Plasma 방전이 안되는 것인가요?

 

물론 Deposition 공정 장비는 13.56MHz를 사용하고, RPS의 경우 400kHz를 사용합니다. 

 

혹시 이러한 주파수 차이와 연관이 있는 것인가요? 아니면 Gas의 결합 에너지의 차이와 연관이 있는 것인가요?

 

마지막으로 RPS의 Plasma 방전이 잘되게 하려면 어떠한 방법이 있을지도 함께 답변해주시면 감사하겠습니다.

 

 

감사합니다!

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17263
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53094
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64493
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85106
38 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 345
37 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 334
36 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 330
35 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 329
34 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 327
33 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 324
32 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 319
31 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 315
30 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 311
29 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 309
28 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 304
27 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 298
26 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 273
25 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 271
24 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 260
23 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 258
22 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 249
21 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 247
20 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 245
19 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 237

Boards


XE Login