안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.

궁금점에 대해 여쭈어 봅니다

일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.

PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.

일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.

Forword Power [%]

Reflect Power [W]

Bias(Vpp) Power

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [219] 75419
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56477
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67549
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89333
68 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23549
67 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 23574
66 self Bias voltage 23647
65 플라즈마 쉬스 23745
64 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23829
63 plasma와 arc의 차이는? 23962
62 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23992
61 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24090
60 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24094
59 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24318
58 플라즈마가 불안정한대요.. 24435
57 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24494
56 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24629
55 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24676
54 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24676
53 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24681
52 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24873
51 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 24949
50 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25508
49 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 25769

Boards


XE Login