Deposition PECVD Uniformity

2023.11.07 09:14

매직가든 조회 수:545

PECVD를 이용하여 SiO2를 증착할경우 중심부가 더 증착이 많이되거나 Uniformity가 좋지 않은 것으로 알고있습니다.

 

이를 해결하기위한 방한이 생각보다 잘 나오지 않아서 이렇게 질문드립니다.

 

제 생각에는 

 

1. 전극과 기판사이의 거리를 멀게하여 wafer상의 plasma 균일도 높이기
2. N2와 같은 비활성 기체를 함께 주입하여 precursor를 희석 및 분산시켜 uniformity 높이기
3. 그냥 장착한 뒤, over etch진행하기하기


이러한 방법은 가능한 방법들일까요??

 

다른 방법엔 어떤것들이 있는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
117 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 584
116 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] 578
115 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 576
114 활성이온 측정 방법 [1] 574
113 핵융합 질문 [1] 569
112 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 565
111 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 561
110 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 557
109 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 555
108 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 554
107 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 549
106 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 548
» PECVD Uniformity [1] 545
104 self bias [1] 540
103 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 518
102 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 517
101 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 514
100 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] 514
99 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 511
98 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 491

Boards


XE Login