안녕하세요. 문의드립니다.

Etch Chamber 에 Chuck 하부에 RF Bias Cable Feeding 을 위해 대부분의 장비들은 정 가운데로 Feeding 되는것으로

알고 있습니다. 정 가운데 말고 옆으로 5~10센치정도 벗어나 Feeding 을 하게 되면 Chamber 공정 진행에 영향을 주게 될런지?

문의를 드립니다.

답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76976
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20331
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57249
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68799
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92794
121 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 590
120 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] 589
119 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 587
118 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 576
117 활성이온 측정 방법 [1] 575
116 핵융합 질문 [1] 574
115 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 570
114 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 558
113 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 558
112 PECVD Uniformity [1] 557
111 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 554
» Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 553
109 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 548
108 self bias [1] 546
107 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 527
106 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 521
105 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] 521
104 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 519
103 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 518
102 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 502

Boards


XE Login