Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요

2010.01.20 17:55

송기철 조회 수:23760 추천:200

안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76739
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20207
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68703
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92292
89 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] 22122
88 플라즈마의 발생과 ICP 22137
87 Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] 22239
86 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22541
85 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22579
84 Peak RF Voltage의 의미 22605
83 pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] 22620
82 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22696
81 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22765
80 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] 22852
79 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22943
78 CCP/ICP , E/H mode 22981
77 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 23061
76 No. of antenna coil turns for ICP 23096
75 고온플라즈마와 저온플라즈마 23126
74 DC glow discharge 23246
73 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23262
72 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23333
71 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23382
70 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23442
쓰기
태그

Boards

XE Login