플라즈마는 이온과 전자가 거의 같은 밀도로 존재하는 이온화된 가스 상태를 의미합니다. 

흥미롭게도 전자는 가벼워서 쉽게 가열이 되고, 이온은 무겁도 화학성질을 가지고 있어서 세게 때리는 도구로 사용합니다. 

또한 플라즈마는 가속된 전자와 가스 입자 (원자 및 분자)들의 이온화 충돌 반응을 통해서 이온과 전자들 무리로 구성되어 있는 가스 상태를 의미합니다. (게시판에서 이온화 반응을 찾아 보세요) 즉 플라즈마는 무거운 이온과 매우 가벼운 전자들이 모인 덩어리다 라고 생각하고 시작합니다. 

표면에서 식각 반응은 재료 입자 즉 Si과 F이 화학결합을 하고 이에 에너지를 받게 되면 떨어져 나가면서 재료 원자들을 떼어 내면서 식각이 진행됩니다. 여기서 반응하는 입자들 및 이온을 많이 반응시키면 식각이 증가할 것입니다. 또한 후속하는 이온이 에너지를 전달해 주면 스퍼터링 되면서 반응물이 더 쉽게 떨어져 나가게 됩니다.

전자는 플라즈마 밀도에 비례하고, 후자는 입사하는 입자의 에너지에 비례합니다. 플라즈마 밀도는 전자 가열을 통해서 고밀도를 만들 수 있어 고주파 RF의 전력을 증가시키면 고밀도가 됩니다. 따라서 RF power 를 증가시키면 밀도가 증가하게 됩니다. 또한 LF 즉 bias power를 증가시키면 이온이 얻은 에너지가 커지고, 따라서 식각률이 증가하게 됩니다. 여기서 대부분 식각이 profile 식각을 하여, 비등방, 즉 CD는 좁고 Aspect Ratio가 큰 식각을 수행하려면 이온을 보다 수직 방향의 에너지를 키워야 합니다. 따라서 LF 전력을 높이는 공정 리시피에 활용하게 됩니다.

따라서 최근 식각 장비는 dual RF 즉 VHF + LP 등의 이중 주파수 RF를 사용합니다. 고주파 = 전자 가열 (플라즈마 라디컬 생성), 저주파 - 이온 가속 으로 기억하시면 좋습니다. 조절인자는 에너지 flux 로 기억하고, 말씀드린 현상, 주제오들은 본 게시판에서 찾아 보시기를 추합니다.