최근 온실 GAS 문제로 인하여 Etch공정 gas를 변경하고 있는 개발을 추진하고있다고 어느 강연에서 교육을 받았습니다.

 

제가 궁금한 점은 변경되는 Etch공정 gas 로인하여 Pump 내부의 부식에 대한 부분입니다. (Pump 는 대부분 주철로 구성됨)

 

혹시 부식성Gas에 대한 부식rate가 따로 존재하는지 궁금합니다.

 

Gas마다 부식의 정도 값 으로 정의 된것이 있을까요?

 

예로) CHF3 에서 C6F12O 로 대채 한다고 하는데 부식의 정도가 어느정도 바뀌는지가 궁금합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76855
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20262
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57193
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68747
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92610
57 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 340
56 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 327
55 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 323
54 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 321
53 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 321
52 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 317
51 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 313
50 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 294
49 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 276
48 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 268
47 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 266
46 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 258
45 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 255
44 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 252
» GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 252
42 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 251
41 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 235
40 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
39 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 217
38 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 213

Boards


XE Login