안녕하세요. PEALD 장비를 개발하고 있는 연구원입니다.

 

보통 플라즈마의 장점이라 하면, 낮은 온도에서 공정이 가능하다는 점인데,

 

증착을 예로 들어, 플라즈마가 분해온도를 낮춰주는 역할을 하여 낮은 온도에서도 증착이 가능합니다.

 

현재 상온에서 증착 진행을 목표로, PEALD 4step 단계에서 3번째 step인 O2에서도 플라즈마를 넣지만,

 

낮은 온도에서의 TMA 분해를 위해 1step 에서도 플라즈마를 넣습니다. 여기서 궁금점이,

 

플라즈마가 TMA와 같은 전구체에 충돌을 하게 되면, 플라즈마의 전자가 몇 eV를 가질 때, 실제로 

 

얼마만큼의 에너지를 전달하는지, 온도를 얼마나 올려주게 되는 역할을 하는지 궁금합니다.

 

이와 관련된 논문 있어도 추천해주시면 정말 감사하겠습니다.

 

찾아봐도 플라즈마 전자의 eV(온도, 에너지) - 충돌하는 분자 에너지 전달 메커니즘 or 상관관계가 없더라구요,,

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76815
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20244
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57186
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68737
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92572
55 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 337
» 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 325
53 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 322
52 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 319
51 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 319
50 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 315
49 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 313
48 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 292
47 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 274
46 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 263
45 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 259
44 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 251
43 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 251
42 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 250
41 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 245
40 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 238
39 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 234
38 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
37 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 215
36 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 210

Boards


XE Login