ICP ICP에서 전자의 가속
2024.02.29 14:09
안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.
쉬스에 대해 공부를 하던 중, CCP에서는 Cathode 부근에서 쉬스가 형성되고, sheath potential을 극복한 전자가 해당 쉬스로 들어와 음전압 강하로 인해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 이해했습니다.
ICP에서도 벽면에 쉬스가 형성되겠지만, 이는 전자가 가속되기엔 충분치 않으므로 RF Coil에 의한 전기장에 의해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 생각해도 될까요?
추가로, CCP & ICP 에서 챔버 내 반경에 따른 플라즈마의 밀도의 차이를 알고 싶은데 어떤 식으로 접근해야 할 지 궁금합니다.
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76852 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20261 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57193 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92610 |
| 37 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 212 |
| 36 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 204 |
| 35 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 203 |
| 34 | 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] | 190 |
| 33 |
화장품 원료의 플라즈마 처리 문의
[1]  | 187 |
| 32 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 183 |
| 31 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 183 |
| 30 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여
[2] | 177 |
| 29 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 173 |
| 28 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 173 |
| 27 | corona model에 대한 질문입니다. [1] | 170 |
| 26 | skin depth에 대한 이해 [1] | 164 |
| » | ICP에서 전자의 가속 [1] | 152 |
| 24 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 152 |
| 23 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1] | 144 |
| 22 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 139 |
| 21 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 135 |
| 20 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 133 |
| 19 | Microwave & RF Plasma [1] | 132 |
| 18 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 117 |