Chamber component 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件
2020.12.10 23:26
안녕하세요.
반도체 장비를 생산하는 업체의 연구실 소속 최재혁이라고 합니다.
자사가 생산하는 제품중에 오존 발생기가 있으며 이 생산 제품의 주요 부품에 대해서는
전량 수입에 의존 하고 있습니다.
언급된 주요 부품에 대해서 설명을 드리면 Chamber로 이루어진 발생장치 안에 O2를
주입하고 촉매제와 플라즈마를 이용하여 O3를 발생시키는 역할로서 발생기의 핵심이라
고 할 수 있습니다.
자사 보안 규정에 따라 자세한 내용을 설명드릴 수 없는 점 양해를 부탁 드립니다,
핵심 기술에 대한 위탁 및 공동 연구개발을 계획하고 있습니다.
교수님께서 시간이 되시면 저희 회사 인원과 함께 찾아 뵙고 프레젠테이션을 진행 했으
합니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76749 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20217 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57170 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68707 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92307 |
| 730 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24338 |
| 729 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24314 |
| 728 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24174 |
| 727 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
| 726 | self Bias voltage | 24037 |
| 725 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23975 |
| 724 | 플라즈마 쉬스 | 23935 |
| 723 | Arcing | 23807 |
| 722 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23760 |
| 721 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23442 |
| 720 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23384 |
| 719 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23333 |
| 718 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23262 |
| 717 | DC glow discharge | 23246 |
| 716 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23127 |
| 715 | No. of antenna coil turns for ICP | 23097 |
| 714 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23068 |
| 713 | CCP/ICP , E/H mode | 22984 |
| 712 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22943 |
| 711 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22852 |
연구원님, 아쉽지만 저희가 오래 전에 이온나이저 관련 연구를 했었어서, 낡은 지식밖에 남아있지 않습니다. 저희가 별 도움이 되지 못할 것 같습니다. 오존발생기에 대해서는 KIST에 한승희박사님을 추천드립니다. 역시 오래전에 오존발생기에 대해서 깊은 연구를 수행하신 경험이 있으신 것으로 알고 있습니다. 문의, 감사합니다.