Plasma in general 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거
2023.06.13 09:36
안녕하세요
현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다.
플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다.
공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76925 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20306 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57225 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68774 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92753 |
| 740 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24369 |
| 739 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24367 |
| 738 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24190 |
| 737 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24123 |
| 736 | self Bias voltage | 24094 |
| 735 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23991 |
| 734 | 플라즈마 쉬스 | 23960 |
| 733 | Arcing | 23854 |
| 732 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23781 |
| 731 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23459 |
| 730 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23415 |
| 729 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23346 |
| 728 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23273 |
| 727 | DC glow discharge | 23267 |
| 726 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23150 |
| 725 | No. of antenna coil turns for ICP | 23117 |
| 724 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23101 |
| 723 | CCP/ICP , E/H mode | 23058 |
| 722 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22952 |
| 721 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22858 |