안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] 72990
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17583
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55512
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65684
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86000
95 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1741
94 etching에 관한 질문입니다. [1] 1754
93 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1980
92 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2040
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 2083
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2120
89 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2248
88 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2284
87 Plasma etcher particle 원인 [1] 2308
86 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2482
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2496
84 PR wafer seasoning [1] 2509
83 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2601
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2788
81 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2804
80 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2983
79 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3053
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3144
77 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3217
76 플라즈마 색 관찰 [1] 3369

Boards


XE Login