Others 고온 플라즈마 관련
2012.06.04 11:49
안녕하세요?
배가스의 SOx와 NOx 처리에 저온 플라즈마를 사용하는데 관련된 논문이 있었는데,
그 중에서 Radical 생성이 잘 되지 않아서 문제가 있는 것을 봤습니다.
혹시 고온 플라즈마를 사용하여 Radical 생성을 더 잘 생성시킬 수 있을까요?
만약 고온 플라즈마가 Radical을 더 잘 생성시킬 수 있다면 왜 지금까지 연구하신 분들이 모두 저온 플라즈마를 사용하는 방안을
연구하셨을까요? 거기에 다른 이유가 있나요?
빠른 답변이면 감사하겠습니다.댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] | 74887 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18739 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56225 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66693 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88033 |
» | 고온 플라즈마 관련 | 8056 |
101 | 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] | 7726 |
100 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7623 |
99 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6527 |
98 | 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] | 6315 |
97 | O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] | 6032 |
96 | 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 | 5788 |
95 | RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] | 5574 |
94 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5138 |
93 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] ![]() | 4663 |
92 | 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] | 4610 |
91 | SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] | 4294 |
90 | Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] | 3810 |
89 | Plasma 식각 test 관련 문의 [1] | 3771 |
88 | SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] | 3752 |
87 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 3574 |
86 | DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] | 3360 |
85 | HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] | 3287 |
84 | ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] | 3192 |
83 | Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] | 3142 |