Others 고온 플라즈마 관련

2012.06.04 11:49

몽돌 조회 수:8091

안녕하세요?

배가스의 SOx와 NOx 처리에 저온 플라즈마를 사용하는데 관련된 논문이 있었는데,

그 중에서 Radical 생성이 잘 되지 않아서 문제가 있는 것을 봤습니다.

혹시 고온 플라즈마를 사용하여 Radical 생성을 더 잘 생성시킬 수 있을까요?

만약 고온 플라즈마가 Radical을 더 잘 생성시킬 수 있다면 왜 지금까지 연구하신 분들이 모두 저온 플라즈마를 사용하는 방안을

연구하셨을까요? 거기에 다른 이유가 있나요?

빠른 답변이면 감사하겠습니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [285] 77292
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20488
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57407
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68938
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92986
» 고온 플라즈마 관련 8091
124 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8084
123 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7716
122 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6865
121 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6575
120 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6505
119 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6476
118 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6330
117 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6133
116 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6026
115 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5520
114 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5490
113 플라즈마 색 관찰 [1] 4365
112 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4348
111 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4185
110 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4037
109 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3993
108 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3870
107 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3711
106 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3622

Boards


XE Login