Etch ICP와 CCP의 차이

2017.08.22 16:56

베컴 조회 수:10734

안녕하세요?


플라즈마 관련 업체 현업에 종사하고 있습니다.


플라즈마 에쳐장비에서 궁금한점이 몇가지 있어 이렇게 문의 드립니다.


1.에칭하려는 물질에 따라서 달라지겠지만, 현재 에쳐장비의 흐름이 CCP에서 ICP로 옮겨가며, 하이브리드로 사용할려고 하는듯 합니다. 이는 이온의 물리적 에칭보다는 라디칼의 화학적 에칭에 더 중점을 두고 변화하는것이 아닌지요?

(물론 기본적으로 이온의 물리적 에칭이 중요하겠지만, 예를 들면 이온의 물리적 에칭으로 웨이퍼의 구조적 손상문제를 야기하는등 CCP의 한계가 있다고 판단되어서요....전자밀도와 라디칼 분포가 큰 ICP를 선호하는게 아닌가 해서요....)


2. 셀프자기바이어스가 커짐에 따라서, 이온의 식각률이 증가한다고 알고 있습니다. 기본적인 질문이지만, 주파수와 셀프자기바이스간의 관계가 궁금합니다. 수학적으로 판단하기에는 주파수가 커짐에 셀프자기바이어스가 작아진다고 알고있습니다.


3. 전자온도분포함수와 이온에너지분포함수간의 상호 연관성이 있는지요?

(제가 생각하기에는 전자온도가 이온에너지보다 대략 5배정도 크니 단순하게 생각해서...전자에너지분포함수와 이온에너지분포함수간에는 비례관계가 있을듯 합니다.)


답변부탁드립니다.


감사드립니다.

축복이 가득하길 바라겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [110] 4863
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16200
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51246
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63740
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83486
87 PR wafer seasoning [1] 2402
86 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1213
85 ICP 후 변색 질문 573
84 Plasma etcher particle 원인 [1] 2025
83 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 351
82 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 554
81 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3846
80 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1909
79 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 797
» ICP와 CCP의 차이 [3] 10734
77 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1456
76 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2047
75 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2800
74 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5750
73 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 7960
72 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5090
71 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 494
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1220
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3643
68 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5608

Boards


XE Login