Etch Dry Etching Uniformity 개선 방법

2016.03.02 17:46

돌맹 조회 수:3535

안녕하세요? nano imprint 및 etching을 이용하여 패턴 가공을 하는 직장인 입니다.

Al 에칭 시 전체적인 Uniformity가 잘나오지 않습니다. 항상 한쪽으로(같은 방향) 쏠리어 에칭이 됩니다.

여러 조건들 SRC,Bias 파워,유량 조절, 압력 조절 등 조건 변경하여 해보았으나 마찬가지 형태로 진행이 됩니다.

Etcher 장비는 최대 8inch 까지 가능한 장비이며 에칭 가스는 Cl2, BCl3 사용 중입니다.


uniformity 개선 관련하여 어떠한 방법이 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16912
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64221
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84301
92 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 7575
91 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7572
90 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6493
89 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6210
88 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5852
87 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5662
86 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5231
85 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4945
84 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4067
83 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3827
82 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3588
» Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3535
80 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3512
79 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3268
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3104
77 플라즈마 색 관찰 [1] 3092
76 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2906
75 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2896
74 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2684
73 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2674

Boards


XE Login