RPS를 이용하여 SiO2를 식각을 하려 하는데요..

가스는 NF3, NH3, O2를 이용하려 합니다.

NF3를 RPS쪽으로 흘려서 Plasma로 인가를 시키고..  NH3는 Gas상태로 다른 라인을 이용하여 함께 넣어 보았는데요...

SiO2가 생각보다 Etching이 되지 않네요...

어떤조건을 건드려 보는게 SiO2 에칭에 가장 효과 적일까요..?

조언 부탁 드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5818
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53122
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64498
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85112
94 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 7626
93 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7582
92 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6499
91 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6235
90 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5909
89 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5690
88 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5338
87 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5004
86 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4254
» SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3961
84 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3931
83 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3620
82 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3594
81 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3550
80 플라즈마 색 관찰 [1] 3264
79 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3180
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3036
77 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2964
76 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2842
75 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2771

Boards


XE Login