안녕하세요, 반도체분야로 취업하려는 취업준비생입니다.

 

얼마전에 공정실습을 다녀왔었는데요. SiO2 를 PECVD로 증착하는 과정에서 플라즈마 관찰을 했었습니다. process gas로 N2O를 SiH4보다 많이 투입했음에도 불구하고 SiH4의 플라즈마 색이 관찰된 것에 대해서 이유를 분석해보라는 문제를 주셨습니다. 

 

당시에는 두 가스의 플라즈마 색이 갖는 파장이 합성됐을 때 푸리에와 관련해서 나온 현상이라고 이해했었는데, 다시생각해보니 정확한 정리가 잘 되지 않았습니다.

 

이 현상에 대해서 피드백을 받을 수 있을까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [324] 90616
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23278
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59949
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71780
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 100705
134 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도] [1] 8295
133 고온 플라즈마 관련 8138
132 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의] [1] 7901
131 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 7851
130 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6813
129 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6766
128 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6720
127 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6683
126 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6655
125 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6371
124 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 6024
123 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5826
» 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4814
121 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4727
120 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4617
119 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4577
118 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4426
117 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4276
116 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 4089
115 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4037

Boards


XE Login