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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71051
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16 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 512
15 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 505
14 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 501
13 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 452
12 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 441
11 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 440
10 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 426
9 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 305
8 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 287
7 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 263
6 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 259
5 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 249
4 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 193
3 플라즈마 식각 커스핑 식각량 110
2 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 107
1 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 104

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