안녕하세요.

 

플라즈마 클리닝 설비를 다루고 있는 엔지니어입니다.

설비 평가중 궁금한점이 있어서 문의하고자 글을 쓰게 되었습니다.

 

현재 저희 설비는 CCP 구조의 다이렉트 쳄버로 RF Generator와 Matcher를 사용하는 

플라즈마 세정 설비입니다.

 

금번 평가시 사용하였던 자재는 Cu Layer가 노출되어있는 PCB 자재이고 챔버내 Rail이 3개로

Full Loading시 3개가 로딩되는 형식입니다. 그리고 가스는 Ar 10sccm에 파워 425W, 시간 100sec를 쓰고 있습니다.

 

여기서 문제가 되고 있는 점이, 자재 3개 (Full Loading) 로딩시에는 문제가 없는데

1ea개만 로딩하였을때 Rail 위치 상관없이 Cu Layer에서 Discolor (Cu층이 어둡게 변함)가 나오고 있습니다.

저희 판단으로 Cu가 산화 반응을 일으킨 것으로 보고 있습니다.

 

이렇게 자재 로딩 수에 따라 Discolor가 나오기도 하고 안나오기도 하는점이 이해가 안되고

플라즈마 이론적으로 어떻게 해석해야 하는지 몰라 문의드리고 싶습니다.

 

저희가 생각하기에는

첫번째, 같은 쳄버내 체적, 같은 가스량으로, 플라즈마 이온들이 아무래도 3개의 자재의 

분산되다 보니 자재당 플라즈마 효과는 떨어지고 그래서 Discolor도 적어진다고 생각하고,

 

두번째, Full Loading시 1개 로딩보다 상대적으로 전자 축적이 분산되어 약한 음전위(Self Bias)가 걸리게 되어

플라즈마 효과가 감소되고 Discolor도 감소하게 되지 않나 생각하고 있습니다.

 

플라즈마 전문가분들께 꼭 답변을 들어 원인을 알아내 해결을 하고 싶습니다.

부디, 플라즈마에 대한 넓은 식견과 해안으로 도와주시면 감사하겠습니다.

 

※ 저희 설비 CCP구조 도식 및 실제 쳄버사진도 참고용으로 첨부하였습니다. (사진내 자재는 금번 질문과는 상관이 없습니다.)

 

플라즈마 쳄버.png

 

CCP 쳄버구조.png

답변부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [131] 5626
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16925
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51354
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64230
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84396
633 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 431
632 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 434
631 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 436
630 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 437
629 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 440
628 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 442
627 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 445
626 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 451
625 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 457
624 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 458
623 활성이온 측정 방법 [1] 461
622 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 465
621 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 465
620 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 466
619 라디컬의 재결합 방지 [1] 467
» 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 467
617 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 468
616 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 475
615 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 477
614 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 479

Boards


XE Login