Etch ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다.
2023.04.08 17:19
안녕하세요 ETCH 공정에서 ICP DRY ETCH 설비 운용하는 엔지니어입니다.
저희 공정 PROCESS 중 BIAS1(13.56Mhz) / SOURCE를 사용하는 공정 STEP에서 DC BIAS가 일정 TREND를 벗어나 Hunting하는 이슈가 있는데요.
해당 DC bias hunting문제를 해결하고자 몇가지 시도를 하였는데 근본적인 원인이 해결되지 않아 질문 드립니다.
해당 공정에서 Source(13.56MHz) : 1000W continuous 사용.
Bias 1 (13.56MHz) : 75W continuous 사용.
해결책 1. bias match 교체
- DC Bias Hunting 시 Bias1 Shunt Postition Trend 도 동일하게 hunting발생하여 Bias Match 교체를 합니다.
> Q. Bias Series Position Trend는 일정하게 유지하는데, DC bias와 bias1 Shunt position이 동일하게 hunting하는 이유가 명확하지 않아 질문드립니다.
해결책 2. Plasma Screen과 Cathode 체결력 검증
- Plasma Screen
Etch 챔버에서 원형 플라즈마 스크린은 음극 라이너 상단에서 챔버 라이너까지 수평으로 확장되며 음극 라이너의 확장 역할을 합니다. 그것은 슬릿이 있는알루미늄으로 만들어져 웨이퍼 평면 위와 아래에서 균등화를 펌핑할 수 있습니다. 그 기능은 플라즈마를 웨이퍼 평면 위의 영역으로 제한하는 것입니다.
- Plasma Screen 과 cathode sleeve 사이의 불균일한 접촉이 Plasma RF return path에 poor한 영향을 주고 -> DC bias에 영향을 주는것으로 알고 있는데요, 설명이 이해가 잘 안되어서요, 혹시 관련 Plasma Return Path에 참고할만한 자료가 있을까요?
================================================================
위 해결책 1,2 진행시 단기간적으로는 해결이 되는 듯 보였으나, 해당문제가 지속적으로 발생하고 있습니다.. DC bias Hunting 관련 질문 답변 부탁드리겠습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76855 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20262 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57193 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92610 |
| 737 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24350 |
| 736 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24343 |
| 735 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24182 |
| 734 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
| 733 | self Bias voltage | 24067 |
| 732 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23985 |
| 731 | 플라즈마 쉬스 | 23945 |
| 730 | Arcing | 23834 |
| 729 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23769 |
| 728 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23453 |
| 727 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23397 |
| 726 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23340 |
| 725 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23266 |
| 724 | DC glow discharge | 23258 |
| 723 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23139 |
| 722 | No. of antenna coil turns for ICP | 23105 |
| 721 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23086 |
| 720 | CCP/ICP , E/H mode | 23027 |
| 719 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22947 |
| 718 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22856 |