Plasma in general 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거
2023.06.13 09:36
안녕하세요
현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다.
플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다.
공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?
2023.06.13 09:36
안녕하세요
현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다.
플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다.
공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?
만일 가스 혼합비에 따라서 친수성 정도가 바뀐다면, 공정 조절을 하는 방법
또는 후속 공정으로 소수성 제고를 위해서는 CF4 계열 플라즈마를 사용하거나,
처리 표면을 Ar 혹은 He 플라즈마로 정렬시키는 후처리 방법이 있을 것 같습니다.
다만, 해당 공정 후의 후속 공정에 영향을 미칠 수 있으니 이점을 신중하게 고려해야 할 것 같습니다.