Etch 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다.
2023.06.16 16:51
안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.
다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.
주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다.
4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?
SiO2+4F->SiF4 (g) +2O
전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다.
답변 주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76795 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20233 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57181 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68729 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92528 |
731 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 387 |
» | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 388 |
729 | 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] | 390 |
728 | CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] | 394 |
727 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 402 |
726 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 | 402 |
725 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 404 |
724 | 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] | 404 |
723 | CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] | 412 |
722 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 423 |
721 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 424 |
720 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 428 |
719 | H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] | 434 |
718 | 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] | 437 |
717 | ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] | 438 |
716 | 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] | 443 |
715 | glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] | 447 |
714 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 449 |
713 | KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] | 450 |
712 | 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] | 450 |