Plasma Source 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할.
2023.06.26 10:34
안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.
다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.
METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.
이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..
도움 부탁드립니다. 감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76861 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20264 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68750 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92648 |
| 737 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24351 |
| 736 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24346 |
| 735 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24183 |
| 734 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
| 733 | self Bias voltage | 24073 |
| 732 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23986 |
| 731 | 플라즈마 쉬스 | 23947 |
| 730 | Arcing | 23840 |
| 729 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23771 |
| 728 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23456 |
| 727 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23400 |
| 726 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23342 |
| 725 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23268 |
| 724 | DC glow discharge | 23261 |
| 723 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23144 |
| 722 | No. of antenna coil turns for ICP | 23108 |
| 721 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23089 |
| 720 | CCP/ICP , E/H mode | 23037 |
| 719 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22949 |
| 718 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22856 |
관련 식각 및 표면 반응에 대해서는 성균관대학교 염근영교수님과 전북대학교 임연호 교수님이 전문이십니다. 보다 좋은 정보를 얻으실 수 있을 것으로 기대합니다. 아울러 염근영교수님의 역저 "플라즈마 식가기술 - 미래컴"를 참고 도서로 추천합니다. 감사합니다.