안녕하세요.

국내 반도체장비 업체에서 Plasma etch 설비를 운용하고 있는 연구원입니다.

 

현재 저희 설비는 RF Bias와 Matcher를 사용하고있는데, 출력되는 parameter 중 Vpp, Vdc에 대해 궁금한 사항이 있어 질의를 드립니다.

Vpp, Vdc값들은 Matcher 출력단에서 측정하는 것으로 알고 있는데,

만약 Chuck의 Material 및 wafer의 재료가 달라졌을때 해당 값들이 달라지는데, 달라지는 이유에 대해서 궁금합니다.

Material의 유전율 및 Capasitance 특성 등이 Vpp, Vdc값에 영향을 줄 수 있는지요.

ex) Chuck의 코팅 두께가 달라진 경우 or Chuck의 코팅 material이 달라진 경우.

 

감사합니다. 새해복 많이 받으세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 101811
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24439
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61089
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73126
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105281
72 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2774
71 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2793
70 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [최적 정합 조건 및 정합 시간] [2] 2855
69 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2863
68 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2867
67 Load position관련 질문 드립니다. [Impedance matching] [1] 2879
66 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 3113
65 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 3172
64 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 3287
63 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance] [3] 3706
62 ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어] [1] 3935
61 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 3965
60 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성] [1] 4123
» Vpp, Vdc 측정관련 문의 [Self bias와 DC offset] [1] 4186
58 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [플라즈마 주파수와 Vpp, sheath] [1] 4330
57 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4674
56 Depostion 진행 중 matcher(shunt, series) 관계 질문 [Matcher와 VI sensor] [3] 4712
55 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [Plasma impedance와 Matcher] [2] 5109
54 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [RF 전력 전달] [1] 5704
53 RF calibration에 대해 질문드립니다. 6144

Boards


XE Login