안녕하세요 반도체 관련 현직자 입니다.

 

ESC Dechuck과 관련해서 Bipolar, Coulombic ESC에서 Back면이 Polished 된 Wafer로 SEA 진행할 경우

Discharge가 제대로 되지 않아 Dechuck을 하지 못하는 Error가 다발하는 경우가 있었는데

 

Back 면이 Polished 되지 않은, 즉 back면이 Rough한 Wafer로 SEA을 진행하니 Dechuck이 안되던 Error가 말끔히 사라졌습니다.


구글링을 해서 겨우겨우 관련 논문을 찾아서 보다보니

 

ESC의 MESA부분은 Wafer가 닿게되고 MESA가 없는부분은 Wafer가 닿지 않을텐데

이렇게 MEASA에 닿는부분이 F(contact)이고 닿지 않는부분을 F(Non-Contact)이라고 할때

F(remain) = F(Contact) + F(Non-contact) 이더라구요....

 

그래서 Non-Contact을 줄이긴 힘들거같고.... 결국은 Non Polished Wafer를 사용하게되면 MESA랑 닿게되는 면적이 줄어들어서

F(Contact)이 작아지게되고 결국 Remain Force가 작아져서 Dechuck이 더 잘되는 mechanism이 맞을까요...??

 

Chuck, Dechuck System에 대해서 전문적인 지식이 부족하여 관련 지식을 나눠주시면 정말 감사하겠습니다. 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [267] 76707
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20159
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57160
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68683
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92230
61 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3173
60 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3178
59 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3496
58 ESC Cooling gas 관련 [1] 3524
57 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3613
56 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3685
55 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3907
54 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4317
53 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5060
52 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5514
51 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5804
50 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5896
49 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6266
48 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6468
47 ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다. [1] 7084
46 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7219
45 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7611
44 RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [4] 8123
43 Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. 8637
42 ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9846

Boards


XE Login