안녕하세요. 교수님

제가 현재 PECVD-CCP장비의 공정 Test를 하던 중

VHF(27M) Power를 점점 늘려감에 따라 Deposition Rate가 감소하는 경향을 보여 문의드립니다.

원인을 찾던 중. 발견한 논문에 따르면 어느정도 증가하다가 2차포물선 그래프를 띄며 Deposition이 감소하는데

이는 초기 증가분은 라디칼을 많이 생성해서 D/R을 상승시키지만 어느정도 증가하게 되면 Ion Bombardment가 커져서 그런 현상이 생긴다고 작성되어 있는데, 이해가 잘 안되서요.

제가 알고 있는 짧은 지식으로는 Power가 커지면 Density가 늘어나면서 Sheath영역이 작아지게 되는것 같은데 아닌가요??

 

Generally, the ion bombardment energy increases witIr"an increase in rf power because the sheath electric field increases as the
square root of the rfpower density.

라고 써있는데, 영문으로 작성된 이 내용이 정말 일반적인 내용인지..제가 이해를 잘 못한건지 궁금합니다.

또한 cathode와 wall 사이에 reactant gases가 고갈된다고 하는데. 너무 논문에서 당연한듯 이야기 해서 이유가 궁금합니다. 

In addition the depletion of reactant gases by the plasma between cathode and reactor wall is also regarded as a factor for the low deposition rate observed at high rf power.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [102] 3672
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15355
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50581
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63008
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82184
» HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2255
83 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2257
82 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2279
81 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2369
80 PR wafer seasoning [1] 2377
79 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2486
78 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2613
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2634
76 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2754
75 플라즈마 색 관찰 [1] 2782
74 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 2890
73 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 2929
72 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3313
71 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3413
70 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3584
69 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3759
68 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4786
67 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5017
66 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5586
65 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5695

Boards


XE Login