안녕하세요.

 

반도체 관련 업계에서 근무중인 직장인입니다.

 

 

타겟은 Al2O3 산화막으로 덮혀 있는 상태이고, 타겟에 걸리는 캐패시턴스 또는 임피던스가 달라

플라즈마 발생시 각각의 밀도 차이로 산화코팅막이 낮게 증착될 수 있는지요

 

답변 부탁드리겠습니다.

감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76909
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20298
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57217
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68766
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92735
739 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 363
738 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 366
737 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 367
736 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 370
735 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 373
734 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 373
733 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 376
732 plasma modeling 관련 질문 [1] 390
731 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 392
730 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 401
729 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 404
» 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 405
727 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 410
726 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 412
725 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 418
724 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 420
723 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 425
722 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 427
721 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 428
720 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 436

Boards


XE Login