안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.

O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금

다를 수 있다는 내용을 보았는데요..


현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우

다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금

합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
723 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24295
722 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 24260
721 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24159
720 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24120
719 self Bias voltage 23993
718 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23959
717 플라즈마 쉬스 23922
716 Arcing 23743
715 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23720
714 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23426
713 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23371
712 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23317
711 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23254
710 DC glow discharge 23225
709 고온플라즈마와 저온플라즈마 23101
708 No. of antenna coil turns for ICP 23079
707 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 23039
» 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22931
705 CCP/ICP , E/H mode 22923
704 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] 22839

Boards


XE Login