안녕하세요

서울대학교 플라즈마 표면공학연구실의 김태윤 연구원입니다.

다름이 아니라, 저희 실험실에서는 내부 삽입형 ICP plasma 를 이용하여

증착을 하고 있는데요.

ICP를(0W) 켜지 않고 Target 에만 power를 인가한 상태에서,

기판에 바이어스를 주었을 때 흐르는 전류(0.9A)와

같은 상황에서 ICP 를  켜게 되면(2000W) 전류가 (3A) 흐르게 됩니다.

기판에 흐르는 전류의 증가분을 가지고 플라즈마 밀도가 ?% 증가하였다는 결론을 내고 싶습니다.

저희가 사용한 이론은 Child 쉬스의 이온 전류식으로, 플라즈마의 밀도가 ICP를 켜면

3배 정도 상승한다는 결론을 얻었는데요.

이 이론이 기판에 바이어스가 가해진 상황에서는 성립하지 않는다고 합니다.

혹시 다른 계산 방법이나 이론이 있는지, 계산은 어떻게 되는지 답변 부탁드립니다.


그리고 ICP power density 계산에 대하여, 저희 실험실에서는 단순히 가해준 ICP POWER 를 ICP

코일의 단면적으로 나누었었는데, 이에 대해서도 정확한 ICP의 power density를 구하는 방법이 있는지도

문의 드립니다.



감사합니다.

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