Others HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다.
2016.07.26 18:14
안녕하세요?
현재 반도체 회사에서 CVD 설비 PART에 근무하고 있는 윤종문이라고 합니다.
플라즈마와 관련되어 CCP 방식의 설비에서 발생되는 문제에 대해 질문하려고 하는데요
HF(13.56Mhz)와 LF(4khz)를 모두 사용하는 설비입니다.
LF의 주파수가 고정되어 있는 상태에서 파워가 800kW가 되었을 때, Alloy 6061로 이루어진 Shower Head에서 Mg의 반응성이 문제가 되어 Particle Issue가 발생되고 있는데요.. 그 이유를 찾고 있습니다.
논문을 하나 찾아본 것이 있는데, 그 논문에서는 고온에서 발생하는 열팽창계수의 차이 때문에 발생되는 Warpage로 인해 코팅된 표면에 Crack이 발생되어 Flouorine이 침투되어 영향을 줄 수 있다고 되어있습니다만..
이 경우에는 온도는 동일하고 LF의 파워가 800kW가 되었을 때만 문제가 발생합니다.
LF POWER가 상승하면 alloy의 표면에 온도에 대한 영향을 주는 건지 궁금하네요.
요약
1 / 플라즈마(LF의 주파수는 고정)의 파워가 상승 했을 때 Alloy 6061에 어떤 영향(화학적으로, 특히 Mg에)을 미칠 가능성이 있는지요?
2 / Mg이 반응하게 되는 이유가 반응성이 크다 라는 것 말고 RF적으로 다른 이유가 있을까요?
3/ 논문에서 온도에 대한 영향 가능성을 읽었는데, 플라즈마 파워가 온도에 영향을 critical하게 주는 factor인가요?
4 / 이런 문제를 해결하기 위해 chemical polishing이나, seasoning을 염두에 두고 있는데.. 어떤 부분에서 접근해야 영향성을 줄일 수 있을까요?
라고 정리해보았습니다.
제가 아는게 그리 많지 않아서 질문이 많습니다..
답변 해주시면 감사하겠습니다 ^_^..
좋은 하루 되세요..
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75023 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18866 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56341 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66858 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88331 |
103 | 고온 플라즈마 관련 | 8058 |
102 | 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] | 7739 |
101 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7626 |
100 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6527 |
99 | 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] | 6319 |
98 | O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] | 6046 |
97 | 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 | 5795 |
96 | RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] | 5589 |
95 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5144 |
94 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] ![]() | 4690 |
93 | 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] | 4670 |
92 | SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] | 4319 |
91 | Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] | 3825 |
90 | Plasma 식각 test 관련 문의 [1] | 3788 |
89 | SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] | 3762 |
88 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 3603 |
87 | DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] | 3380 |
» | HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] | 3304 |
85 | ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] | 3216 |
84 | Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] | 3151 |
재료 표면에서 크랙이 발생하고 이들이 떨어지면서 띠끌(dust) 를 만들 수는 충분히 있습니다. 이때 시료의 온도는 두가지 개념으로 보아야 하는데, 시료 전체의 온도 (bulk temperature) 와 표면에서 형성되는 순간 온도(surface temperature) 가 있으며 플라즈마 이온의 조사에 의해서는 표면 온도가 높아질 수는 충분히 있겠습니다. 다만, 먼저 고려해 볼 점은 LF 의 역할입니다. 우리가 LF/HF 등의 주파수가 빠르다 / 늦다를 결정하는 인자는 플라즈마 이온 주파수를 기준으로 보면 좋고, 대부분의 LF 영역대의 주파수를 갖습니다. 즉, 이온은 인가하는 주파수를 따라서 거동을 한다는 말이되고, 역으로 LF는 이온에 에너지를 주고자 인가하는 전력원의 주파수가 됩니다. (플라즈마 주파수에 대한 설명을 참고하시기 바랍니다.)
본 공정에서는 사용하는 bias이 상당히 큰데, 제 생각에는 충분히 이온에 의한 sputtering으로 paricle issue가 충분히 발생할 수가 있어 보입니다. 이를 막기 위해서는 할 방법은 coating 재료를 두껍게 하거나 hardcoating 이 있을 수는 있겠지만, 반면 LF power를 낮추는 공정 방법을 모색하는 것이 더 유리할 것으로 보입니다.