RPS를 이용하여 SiO2를 식각을 하려 하는데요..

가스는 NF3, NH3, O2를 이용하려 합니다.

NF3를 RPS쪽으로 흘려서 Plasma로 인가를 시키고..  NH3는 Gas상태로 다른 라인을 이용하여 함께 넣어 보았는데요...

SiO2가 생각보다 Etching이 되지 않네요...

어떤조건을 건드려 보는게 SiO2 에칭에 가장 효과 적일까요..?

조언 부탁 드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16910
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51350
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64217
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84238
92 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 7574
91 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7572
90 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6493
89 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6210
88 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5852
87 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5662
86 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5230
85 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4944
84 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4065
» SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3826
82 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3586
81 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3535
80 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3512
79 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3257
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3102
77 플라즈마 색 관찰 [1] 3090
76 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2905
75 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2894
74 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2684
73 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2674

Boards


XE Login