Deposition PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다.
2023.04.11 16:35
안녕하세요 Plasma를 이용하여 ALD 실험을 진행하고 있는 대학원생입니다.
다름이 아니라 어느 순간부터 plasma를 발생시키게 되었을 때 처음 발생시킬 때에는 플라즈마 빛의 세기도 매우 강하고 잘 생성이 된다고 생각이 들었는데 그 이후로 발생시킬 때는 플라즈마의 색깔도 조금 변하고 세기가 많이 약해집니다.
NH3, N2 plasma를 최근 이용하였을 때 계속해서 그러한 현상이 일어나고 있습니다.
이러한 현상에 대해서 혹시 원인을 알고 계셔서 알려주신다면 정말 감사드립니다 ㅠㅠ
아님 개인적인 소견이라도 말씀해주시면 정말 큰 도움이 될 것 같습니다 ㅠㅠ
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76843 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20252 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68744 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92598 |
| 736 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24350 |
| 735 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24337 |
| 734 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24182 |
| 733 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
| 732 | self Bias voltage | 24065 |
| 731 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23983 |
| 730 | 플라즈마 쉬스 | 23943 |
| 729 | Arcing | 23832 |
| 728 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23766 |
| 727 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23452 |
| 726 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23396 |
| 725 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23339 |
| 724 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23265 |
| 723 | DC glow discharge | 23258 |
| 722 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23138 |
| 721 | No. of antenna coil turns for ICP | 23105 |
| 720 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23079 |
| 719 | CCP/ICP , E/H mode | 23023 |
| 718 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22946 |
| 717 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22856 |