안녕하세요. 문의드립니다.

Etch Chamber 에 Chuck 하부에 RF Bias Cable Feeding 을 위해 대부분의 장비들은 정 가운데로 Feeding 되는것으로

알고 있습니다. 정 가운데 말고 옆으로 5~10센치정도 벗어나 Feeding 을 하게 되면 Chamber 공정 진행에 영향을 주게 될런지?

문의를 드립니다.

답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76747
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68707
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92305
730 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24338
729 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 24314
728 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24174
727 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24122
726 self Bias voltage 24036
725 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23974
724 플라즈마 쉬스 23935
723 Arcing 23807
722 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23760
721 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23442
720 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23384
719 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23333
718 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23262
717 DC glow discharge 23246
716 고온플라즈마와 저온플라즈마 23127
715 No. of antenna coil turns for ICP 23097
714 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 23067
713 CCP/ICP , E/H mode 22983
712 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22943
711 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] 22852

Boards


XE Login