ATM Plasma 플라즈마를 이용한 오존 발생장치
2004.06.19 17:13
질문에 혼돈이 있는 이유는 플라즈마를 이용한 오존 발생기가 있기 때문입니다. 다시 이야기 하면 오존을 만들기에 적합한 플라즈마 발생 방치들이 있다는 말입니다. 이와 다른 방법으로 오존을 만드는 예에대해서는 저는 잘 아지 못하고 다만 플라즈마를 이용한 오존 발생장치를 예로 하겠습니다. 최근에는 DBD 방법으로 산소 플라즈마를 만들다 보면 많은 오존에 형성되게 됩니다. 또한 Corona 방전, 대부분 고전압 펄스 방전에서 형성되는 플라즈마를 의미하는데 이를 대기압 상태에서 형성시키다 보면 공기 중 산소에 의해서 오존이 다량 셩성되기도 합니다. 앞에서 말한 Corona 방전기, 대기압 방전, DBD등은 이전 설명을 참고하시고 이들 방전기를 플라즈마 발생기의 한 종류라 생각할 수 있으며 일반적인 플라즈마 발생기에 비해서 높은 운전 압력, 즉 대기압 등의 조건에서 플라즈마를 발생하는 장치, 큰 의미의 플라즈마 발생기라 할 수 있습니다.
참고로 플라즈마라는 표현은 플라즈마 상태를 의미하는 것으로 물질의 상태 중 하나입니다. 따라서 대부분의 개스는 플라즈마 상태를 만드는 대상이 될 수 있으며 산소를 포함하지 않은 개스를 플라즈마 상태로 만들 경우 물론 오존의 발생 가능성은 거의 없습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76683 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57157 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68677 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92193 |
727 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24320 |
726 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24302 |
725 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24171 |
724 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24121 |
723 | self Bias voltage | 24026 |
722 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23970 |
721 | 플라즈마 쉬스 | 23933 |
720 | Arcing | 23790 |
719 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23756 |
718 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23436 |
717 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23378 |
716 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23329 |
715 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23260 |
714 | DC glow discharge | 23243 |
713 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23120 |
712 | No. of antenna coil turns for ICP | 23092 |
711 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23054 |
710 | CCP/ICP , E/H mode | 22968 |
709 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22939 |
708 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22850 |