질문 ::

저는 직장에 다니는 회사원입니다. 얼마전 선배로 부터 플라즈마 코팅이라는 것을 문의 받았는데, 정확한 답변을 할 수가 없었습니다. 플라즈마 코팅의 원리와 국내 전문가를 소개시켜 주실 수 있는지요?

답변 ::

플라즈마를 이용한 코팅을 한마디로 설명하기는 어렵지만 간단히 생각해 보면 화학물이 시편 표면을 덮는데 플라즈마 환경을 이용한다고 생각할 수 있습니다. 플라즈마는 화학물의 활성에너지를 제공하거나 화학물이 시편 표면과 잘 반응하도록 합니다. 특히 플라즈마 내의 전자에 의해서 기체 상태의 화학물들은 해리되어 래디컬을 형성하여 시편 표면과 활발하게 반응하여 표면에 정착하게 됩니다. 이들 화학물은 시편 표면에 작은 섬을 만들고 그 섬 주변으로 점차 커지는데 이런 섬들이 많아지면 옆의 섬과 연결되면서 시편 전체를 덮게 됩니다. 따라서 시편과 코팅 목적에 알맞는 화학물을 선택하는 것이 매우 중요하며 플라즈마를 이용하고자 한다면 화학물을 기체상태 속에 넣을 수 있어야 합니다. 이렇게 플라즈마의 도움을 받아 표면에 화학물을 코팅하는 기술을 PECVD 혹은 PACVD라고 합니다. 이에 관한 연구는 대단히 활발함으로 주변의 대학 재료공학과에서 전문가를 쉽게 찾으실 수 있을 것 입니다. 혹은 본 란에 답글을 자주 올려주시는 군산대학의 주정훈 교수님이나 울산대학의 천희곤교수님을 찾아 원하시는 코팅에 대한 자문을 받아 보시는 편이 좋을 것 같습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103322
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24716
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61526
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73520
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105952
773 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24933
772 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24881
771 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24665
770 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24527
769 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24434
768 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24408
767 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24255
766 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24206
765 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24206
764 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24191
763 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23629
762 CCP/ICP , E/H mode 23604
761 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23475
760 DC glow discharge 23423
759 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23411
758 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [Remote plasma의 Radical] [1] 23396
757 고온플라즈마와 저온플라즈마 23380
756 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) [ICP와 CCP의 heating] 23342
755 No. of antenna coil turns for ICP [안테나 turn 수와 플라즈마 발생 효율] 23338

Boards


XE Login