CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.

2010.01.28 19:44

kailo 조회 수:23409 추천:157

안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102743
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24678
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61391
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73462
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105797
772 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24928
771 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24877
770 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24660
769 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24495
768 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24429
767 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24401
766 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24246
765 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24205
764 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24197
763 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24187
762 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23624
761 CCP/ICP , E/H mode 23589
760 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23474
759 DC glow discharge 23419
» CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23409
757 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [Remote plasma의 Radical] [1] 23379
756 고온플라즈마와 저온플라즈마 23377
755 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) [ICP와 CCP의 heating] 23336
754 No. of antenna coil turns for ICP [안테나 turn 수와 플라즈마 발생 효율] 23332
쓰기
태그

Boards

XE Login