LCD 장비 업체에 근무하는 김기권이라고 합니다.
HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) Source/Drain 공정에서만 발생하고 있습니다 , 발생 시점 은 Plasma On 후 15~20sec 후 (Ti Etching 완료되고, Al 막이 전면적으로 나타난 시점)
증상은  HVDC current '0" , DC Bias 상승 (최대치인 100V 까지), 동시에 Bias Reflect (전반사 - 미세한 Refect가 아니라, 전면적인 반전)

2. 조치 사항    
    1) HVDC Swap - 변화 없음
    2) ESC Filter Swap - "    
    3) RF Matcher Swap - "
    4) ESC 교체 - 일시적 개선되나, 시간을 두고 다시 재발

장비에 문제 인지 ESC 에 문제인지 파악이 안되고 있습니다.

많은 도움 부탁드립니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102808
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24682
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61400
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73468
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105810
772 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24928
771 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24878
770 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24661
769 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24496
768 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24429
767 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24403
766 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24247
765 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24205
764 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24197
763 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24187
762 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23625
761 CCP/ICP , E/H mode 23590
» HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23474
759 DC glow discharge 23419
758 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23409
757 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [Remote plasma의 Radical] [1] 23381
756 고온플라즈마와 저온플라즈마 23378
755 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) [ICP와 CCP의 heating] 23337
754 No. of antenna coil turns for ICP [안테나 turn 수와 플라즈마 발생 효율] 23333

Boards


XE Login