Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching]
2022.12.07 14:13
안녕하세요.
Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라,
최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는
내용의 기사를 봤습니다.
질문은
1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?
2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?
3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?
고수님들의 답변 부탁드립니다.
가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] | 102637 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 24660 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 61358 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 73443 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 105747 |
| 53 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25713 |
| 52 | plasma와 arc의 차이는? [Arc의 temperature] | 25723 |
| 51 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26703 |
| 50 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [공정 과정 및 장치 상태] [2] | 26854 |
| 49 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [ESC와 capacity] [3] | 26948 |
| 48 | self bias (rf 전압 강하) | 27096 |
| 47 |
이온과 라디칼의 농도 [해리도와 전자 에너지 분포]
 | 27408 |
| 46 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27594 |
| 45 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 [Matching과 particle] | 28024 |
| 44 | 플라즈마 온도 [Density와 Temperature] | 28098 |
| 43 | DBD란 | 28111 |
| 42 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [플라즈마 빛의 파장 정보] [1] | 28162 |
| 41 | 탐침법 | 28239 |
| 40 | esc란? | 28289 |
| 39 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. [플라즈마 도서 추천] | 28383 |
| 38 | sheath와 debye sheilding에 관하여 [전자와 이온의 흐름] | 28409 |
| 37 | 반도체 관련 질문입니다. | 28666 |
| 36 | Arcing [전하 축적에 의한 방전 개시] [1] | 28972 |
| 35 | 플라즈마와 자기장의 관계 | 29079 |
| 34 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 [Ozone과 Plasma] | 29284 |
먼저 성균대학교 염근영교수님의 역저, "플라즈마 식각기술"을 추천드립니다.