안녕하세요.

 

반도체 완성품 업체 재직 중인 설비엔지니어입니다.

저희가 현재 좌우 비대칭과 관련된 DATA를 TARGET하기 위하여 설비 HW적 가변요소를 추가하여 Targeting 중입니다.

HW 적 가변요소로는 Ring kit 중 1요소를 Lift pin으로 들어올려 sheatch의 모양을 RF TIME 초반과 일정하게 유지하여

edge Tillting 제어를 하고 있습니다.

 

다만 현재 RING을 LIFT하는 시점에 유독 RF TIME 초반시점에만 particle이 쏟아지고 있습니다.

Ring KIT의 성분으로는 SIC, Quartz 재질이며 Lift가 되는 Ring의 경우에는 Quartz ring을 직접제어하고 있습니다.

 

현재 가장 의심하고 있는 부분은 SIC Ring 에서 Particle이 기인되고 있다고 가장 의심하고 있습니다.

실제로 Particle 성분분석 시에도 SI, O, F 계열이 검출되고 있는데, 해당 부분을 해소할 수 있는 방안이 어떤점이 있을까요?

이론적 OR 실험적으로든 비슷한 난제를 극복한 사례가 있으실까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77261
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20473
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57383
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68910
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92960
27 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 144
26 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 140
25 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 139
24 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 138
23 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 131
22 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 126
21 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 125
20 플라즈마 설비에 대한 질문 119
19 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 103
18 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 102
17 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 91
» 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 90
15 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 89
14 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 87
13 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 86
12 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 79
11 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 75
10 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 65
9 플라즈마 식각 커스핑 식각량 63
8 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 58

Boards


XE Login