Etch Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계.
2020.08.05 14:15
안녕하세요.
저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.
궁금한게 있어 문의 드립니다.
열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.
예를 들어 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고
Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면 열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.
(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)
그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?
혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.
제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] | 2302 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 12789 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 49615 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 61094 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] | 78901 |
| 578 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 222 |
| 577 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [1] | 12128 |
| 576 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 526 |
| 575 | Load position 관련 질문 드립니다. [2] | 1647 |
| 574 | Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] | 233 |
| 573 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 370 |
| 572 | 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] | 6193 |
| 571 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 425 |
| 570 | Interlock 화면.mag overtemp의 의미 | 336 |
| 569 | 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] | 754 |
| 568 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 643 |
| 567 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
 | 594 |
| 566 | ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] | 4231 |
| 565 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 423 |
| 564 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1137 |
| 563 |
플라즈마볼 제작시
[1] | 1719 |
| 562 |
안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출)
[1] | 1962 |
| 561 | Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] | 356 |
| 560 | Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] | 2860 |
공정 교육에서 공부하셨듯이 입자와 재료의 간의 반응은 입사하는 입자속과 에너지 및 표면 온도에 민감합니다. 따라서 반응기 내벽의 온도( 특히 내벽 표면의 온도) 분포가 중요하겠습니다. 이를 판단하려면 생성되는 믈라즈마의 분포가 중요하겠고, 플라즈마가 전달하는 에너지 (전자의 경우, 전자 온도 와 이온의 경우 쉬스 에너지) 전달을 고려하는 것이 좋겠습니다. 이에 의해서 표면에서 byproduct의 반응이 결정될 수 있겠습니다. 따라서 장비의 열전달 문제는 플라즈마를 가두는 용기가 갖는 bulk 온도와 함께 플라즈마와 접촉하는 내벽의 온도를 함께 고려햐야, 공정을 제어하기가 용이할 것 같습니다.