안녕하세요. 교수님.

일전에 ICP에서 발생되는 self bias로 쿼츠가 식각될 수 있는지에 대해 문의드렸습니다.

그 때의 답변 감사드립니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 그때와 이어지는 내용인데요.

저희의 실험(다층박막) 중 SiO2가 아닌 다른 물질을 증착 중 식각된 쿼츠에서 SiO2가 기판으로 날아와 일부 증착되는 것으로 예상이 됩니다.

그래서 여러가지 특성에 일부 영향을 주는데

쿼츠 쪽에서 발생되는 시각을 줄이기 위해 self bias를 줄일 방안을 생각해보았습니다.

그 중에 ICP영역(코일 전면부)에 영향을 주지 않는 선에서 anode를 장착하여 self bias를 만드는 전자들을 빼내어주는 방안을 생각해보았는데

이 경우 플라즈마 형성에는 문제가 없는지와 이 방법으로 정말 self bias를 줄여 식각현상을 줄이거나 없앨 수 있는지가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4964
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16323
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51258
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63781
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83587
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 696
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1033
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 783
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 1379
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 159
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1768
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 812
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1020
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 2465
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 545
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1178
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 1129
587 플라즈마 챔버 [2] 656
586 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 729
585 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 1733
584 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 463
» 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1355
582 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 599
581 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 426

Boards


XE Login