Sheath 교수님 질문이 있습니다.
2019.07.01 18:46
안녕하세요 교수님 , 저는 최근들어 반도체공정관련해서 공부중인 지나가던(?) 기계공학과 학생입니다 !
다름이 아니라 , 플라즈마 sheath에 대해 찾아보니까 약간 개념적으로 정확하게 잘 정립이 안되서 이곳저곳 찾다가 이곳을 알게되어
이렇게 질문을하게 되었습니다.
플라즈마 sheath는 제가 찾아본바에 의하면 , 전자는 양이온보다 속도가 빨라서 chamber벽 같은곳에 흡수가 잘되어서 결국 소실되는게 많아
상대적으로 양이온,중성자만 많게된 곳을 sheath라고 알고있습니다. 그런데 , sheath 층은 얇을수록 플라즈마 bulk( 플라즈마 sheath가 아닌영역)안에 있는 양이온이 이동하기가 쉬워서 결국 wafer를 양이온으로 dry etch하는게 더 쉽다는데,
1.왜 sheath층이 얇을수록 양이온이 더 이동하기 쉬운지 알고싶습니다.
2. 그리고 sheath층을 줄이려면 어떤방법들이 있을까요?? ex> (답은아니겠지만...) 가해주는 전압을 줄인다. 등등 간단한식으로 말씀해주셔도 전혀 상관없습니다 !!
감사합니다 교수님 !!
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76859 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20264 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68749 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92631 |
| 197 | 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] | 487 |
| 196 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1836 |
| 195 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11476 |
| 194 | RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] | 2434 |
| 193 | O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] | 6451 |
| 192 | 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] | 1926 |
| 191 | KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] | 450 |
| 190 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1243 |
| 189 | 간단한 질문 몇개드립니다. [1] | 590 |
| 188 |
Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다.
[1]  | 770 |
| 187 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1039 |
| 186 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1246 |
| 185 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 554 |
| 184 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1700 |
| 183 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1516 |
| 182 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 3421 |
| 181 | 질문있습니다. [1] | 2580 |
| 180 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2149 |
| 179 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 746 |
| » | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 757 |
쉬스에 대한 설명을 게시판에 수차례 진행되었으니 한번 더 찾아 보세요. 쉬스 크기 (두께) 가 갖는 함수식을 찾을 수 있겠습니다. 이를 쉬스 대부분은 Child-Langmuir sheath라 하고, collisionless, infinite boundary에서 형성된 쉬스로서 인가 전압 (플라즈마-타킷전압)과 플라즈마 밀도의 함수입니다. 반도체 공정을 공부함에 있어 쉬스에 대한 이해는 '필수'이니 시간 들여서 찾아 보면서 충분히 이해하기를 추천합니다.