안녕하세요.  석사과정생인 최하림입니다.

늘 좋은 답변남겨주셔서 감사드립니다.

마이크로 웨이브 플라즈마 방식으로 ion gun에서 수소 플라즈마를 생성시키고 process chamber까지 나오는 전하들을 이용하여 2d물질 표면에 수소를 흡착시키는 실험을 진행하고 있습니다.(샘플은 [Si/SiO2/2d박막] 이러한 구조입니다.) (ion gun에서 process chamber에 있는 샘플까지의 거리는 약 10cm정도입니다.)

그런데 2d물질 샘플을 ion gun과 마주보지 않은 상태로 샘플에 back gate voltage를 걸어주면 샘플 표면에 수소처리가 됩니다 ( back gate voltage는 +100V, -100V 둘다 걸어주었는데 두 경우 모두 수소가 흡착된 데이터를 얻었습니다.) 

참고로 마주보지 않은 상태로 back gate voltage를 걸어주지 않으면 샘플 표면에 수소처리가 되지 않습니다.

제가 생각하기로는 positive back gate voltage를 걸어주면 그 샘플 주변에 전기장이 형성되어 전자가 힘을 받아 주변의 중성가스인 H2와 충돌하여 이온화되어 샘플에 흡착된다거나, negative back gate voltage인 경우에는 +를 띄는 ion이  끌려온다고 밖에 예상하지 못했습니다


ion gun에서 나오는 전하들이 직진성을 가지고 있는 것은 알고 있지만. back gate voltage를 걸어줌으로써 그 전하들이 휘어서 샘플에 흡착되는 것이 가능한가요?  

process chamber에서 전하들의 움직임이나 electrical potential에 의한 전하들의 움직임에 관련된 논문이나 게시글이 있는지 여쭤봐도 될까요?



감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76875
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92698
197 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 488
196 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1850
195 플라즈마 살균 방식 [2] 11485
194 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2443
193 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6451
192 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1929
191 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 450
» 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1244
189 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 590
188 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 772
187 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1040
186 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1247
185 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 554
184 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1708
183 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1523
182 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3430
181 질문있습니다. [1] 2583
180 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2149
179 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 747
178 교수님 질문이 있습니다. [1] 760

Boards


XE Login