안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103410
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24722
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61549
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73527
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105980
114 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4229
113 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3756
112 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [핵융합 연구소] [1] 797
111 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2612
110 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4302
109 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속] [1] 1531
108 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3222
107 PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] 33028
106 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching] [3] 1368
105 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 1019
104 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2542
103 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2210
102 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2073
101 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극] [1] 1794
100 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2816
99 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1605
98 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 730
97 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2113
96 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2924
95 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1502

Boards


XE Login