Deposition 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다.
2013.07.18 16:47
지금 모기업에서 인턴을 하면서 CVD파트에 대해서 공부를 하고있습니다.
PECVD를 과정에서 플라즈마의 균일도가 중요 하다고 합니다.
이때 어떠한 변수들이 플라즈마의 균일도에 영향을 주는지 궁급합니다.
이와더불어 N2플라즈마와 수소플라즈마의 차이점에 대해서 알고 싶습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
102 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1756 |
101 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1386 |
100 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2581 |
99 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1295 |
98 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 472 |
97 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1661 |
96 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2318 |
95 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1183 |
94 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 844 |
93 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2261 |
92 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5455 |
91 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1425 |
90 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2306 |
89 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2325 |
88 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 4258 |
87 | PR wafer seasoning [1] | 2701 |
86 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1793 |
85 | ICP 후 변색 질문 | 726 |
84 | Plasma etcher particle 원인 [1] | 2967 |
83 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 423 |
아울러 N2 플라즈마와 H2 플라즈마의 일반적인 차이는 이온화, 해리 이온화률의 경로 차이가 큽니다. 이를 참고하여 N2 플라즈마 자체를 연구한 논문 (질화 및 이온주입 분야 논문)과 H2 플라즈마 생성 논문 주로 핵융합 이온원 소스 개발 등에서 참고하여 논문 찾기를 해 보시면 좋을 것입니다.