Etch Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate

2020.07.09 13:00

도리 조회 수:2273

안녕하세요 교수님

Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?


이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76774
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20224
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68721
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92385
102 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1989
101 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2027
100 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2055
99 etching에 관한 질문입니다. [1] 2264
» Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2273
97 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2308
96 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2315
95 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2331
94 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2331
93 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2361
92 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2460
91 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2582
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2639
89 PR wafer seasoning [1] 2704
88 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2759
87 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2877
86 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2897
85 Plasma etcher particle 원인 [1] 2978
84 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2983
83 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
쓰기
태그

Boards

XE Login